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岗位职责：
1、参与公司第三代半导体（GaN、SiC）功率芯片的仿真设计以及工艺开发；
2、参与公司在第三代半导体功率器件方向相关知识产权的布局，如建立标准，申请专利等；
3、与代工厂配合，完善公司第三代半导体功率器件芯片相关的Design？Rule以及设计的Check？List；
4、协同进行流片后的器件测试以及model？card萃取拟合工作，配合进行流片过程中发生的Issue解析root？cause分析；
5、熟悉半导体功率器件的可靠性测试原理，了解相关设备操作原理，能够同测试工程师一起根据实验结果，提供可靠性提升相关建议，并指导设计工作。
任职资格：
1、微电子、凝聚态物理、材料等相关专业毕业；
2、在功率芯片方向上，具备至少5年的技术开发经历；
3、熟练使用半导体器件仿真设计（TCAD）软件，如Silvaco、Sentaurus或类似功能的相关软件；
4、熟悉硅基功率半导体制程工艺或第三代半导体制程工艺；
5、具备Mask？Layout设计经验者优先，了解常见绘图软件，如：LEDIT、Virtuoso、华大九天Aether/Argus等。